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 Analysis of TM/TE mode enhancement and droop reduction by a nanoporous n-AlGaN underlayer in a 290 nm UV-LED

Yufeng Li Chenyu Wang Ye Zhang Peng Hu Shengnan Zhang Mengqi Du Xilin Su Qiang Li Feng Yun

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2020, 8(06):806-811

 Horizontal GeSn/Ge multi-quantum-well ridge waveguide LEDs on silicon substrates

Linzhi Peng Xiuli Li Zhi Liu Xiangquan Liu Jun Zheng Chunlai Xue Yuhua Zuo Buwen Cheng

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2020, 8(06):899-903

 Full-color micro-LED display with high color stability using semipolar (20-21) InGaN LEDs and quantum-dot photoresist

Sung-Wen Huang Chen Yu-Ming Huang Konthoujam James Singh Yu-Chien Hsu Fang-Jyun Liou Jie Song Joowon Choi Po-Tsung Lee Chien-Chung Lin Zhong Chen Jung Han Tingzhu Wu Hao-Chung Kuo

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2020, 8(05):630-636

 Improved performance of UVC-LEDs by combination of high-temperature annealing and epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire

Norman Susilo Eviathar Ziffer Sylvia Hagedorn Leonardo Cancellara Carsten Netzel Neysha Lobo Ploch Shaojun Wu Jens Rass Sebastian Walde Luca Sulmoni Martin Guttmann Tim Wernicke Martin Albrecht Markus Weyers Michael Kneissl

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2020, 8(04):589-594

 基于單色LED的太陽光譜合成方法

王宏民 唐帆 薛萍

[摘要]為解決目前白光LED光譜非連續性問題,設計出一種基于單色LED的太陽光譜合成方法。該方法通過構建單色LED光譜模型,采用最小二乘算法以最大相關指數R2為優化目標,實現對太陽光譜的擬合。在理想峰值波長等間隔LED擬合的基...

 PDF全文激光與光電子學進展 | 2020, 57(09):093004

 GaN基LED芯片電極結構的優化及制備

晁鵬飛 許英朝 劉春輝 吳天雨 李洋洋 劉建寧

[摘要]針對GaN基正裝結構的LED芯片存在電流分布不均勻的問題,對傳統的電極結構進行優化設計。通過建立有限元分析軟件COMSOL的三維仿真模型,對傳統結構和優化電極結構的芯片有源層電流分布進行了仿真,結果表明優化后的芯片電...

 PDF全文激光與光電子學進展 | 2020, 57(07):072301

 基于LED屏裸眼三維集成成像顯示技術的空間分辨率研究

李敏 樸燕 鄧莉巾

[摘要]基于LED屏裸眼三維顯示技術,提出了一種利用時分復用技術提高集成成像系統空間分辨率的方法,解決了由LED屏各個像素點光源發散、相鄰像素點間距過大導致的空間分辨率低的問題。通過研究LED顯示器發光原理,分析了重構圖...

 PDF全文激光與光電子學進展 | 2020, 57(06):061004

 基于特征光譜參量表征發光二極管結溫的方法

蔣福春 何思宇 劉遠海 劉文 柴廣躍 趙志剛 李百奎

[摘要]針對采用藍光激發熒光粉產生白光的YAG型白光LED,通過分析其光譜波谷特性,采用常規可見光光譜儀和溫控系統設計了一套基于光譜特征參量的LED結溫測試系統.測量方法分為定標函數的測定和任意狀態下的測量兩部分.首先采...

 PDF全文光子學報 | 2020, 49(03):0330003-330003

 基于鈰釓共摻雜YAG單晶熒光片的高光效白光LED

陳慧挺 赫崇君 李自強 高慧芳 冒蓉 劉登飛

[摘要]為了滿足高功率白光發光二極管(Light-Emitting Diode, LED)對熒光體的高性能要求,對白光LED用CexGd∶YAG單晶熒光材料的制備和光學、電學、熱 學特性進行了研究。采用提拉法生長了CexGd∶YAG(x=0.02, 0.04, 0.06, 0....

 PDF全文人工晶體學報 | 2020, 49(02):205

 白光LED用近紫外光激發的藍綠色熒光粉Sr5(PO4)3F∶Eu2+的光譜性能及助熔劑的影響

孔麗 劉瑩瑩 喬露 吳晶 陳麗 潘宵 王文生 于?;?/a> 魏奇業

[摘要]本文采用還原氛下的高溫固相法合成了熒光粉Sr5(PO4)3F∶Eu2+并對其性能進行了表征, 同時研究了助熔劑硼酸對該熒光粉的影響。結果表明: 在1200 ℃還原氛下制得的熒光粉Sr5(PO4)3F∶Eu2+, 激發峰位于418 nm, 發射峰位于...

 PDF全文人工晶體學報 | 2020, 49(01):33

 近距離LED光通信直視信道模型研究

趙太飛 馬壯 李星善 梁浩

[摘要]利用高斯擬合函數確定了小發散角LED的類高斯發光模式,并根據光輻射特性和發光模式建立了LED直視信道模型.實際測量了服從朗伯、類高斯發光模式的多種多波段LED的接收光功率與信道參數的關系.實驗結果表明,接收光功率...

 PDF全文光子學報 | 2020, 49(01):0106001-106001

 可見光通信光正交頻分復用系統符號分解技術抑制LED非線性失真研究

賈科軍 楊博然 陸皓 郝莉

[摘要]傳統重復信號限幅(ISC)技術可以減小非線性LED光正交頻分復用(O-OFDM)系統的非線性限幅噪聲影響。但ISC系統需要多個LED同時發光,同步和硬件實現復雜,并且誤碼率(BER)隨著信道增益差異的增大而變大?;詿?提出基于單...

 PDF全文中國激光 | 2020, 47(04):0406002

 霧對基于可見光的車輛定位性能的研究

張穎 楊晶 楊玉峰

[摘要]分析霧環境下利用LED交通燈進行車輛定位的性能,討論了接收角度、道路寬度、霧環境下接收端信噪比等對車輛定位范圍的影響。仿真結果表明:信號最佳接收角度為25°;車輛距離LED交通燈20 m之內時,道路寬度對信號...

 PDF全文光電工程 | 2020, 47(04):190661

 可見光通信中LED非線性補償和帶寬拓展技術

王玉皞 曹凡 鄧震宇 劉曉東 羅雨桑 馬帥 鄢秋榮

[摘要]可見光通信(VLC)是一項有前景的技術,作為現有無線通信網絡的有益補充,可提供高速率、低延遲及多設備接入等通信服務。借助傳統無線通信的高性能編碼調制技術,已經設計并實現了各種適配于VLC 系統的物理層通信技術。...

 PDF全文光電工程 | 2020, 47(03):190671

 LED路燈可見光通信模型的研究

鄧健志 列科士 程小輝

[摘要]針對智慧珞燈及車聯網的應用需求,設計了基于可見光發光二極管(LED)珞燈的通信模型。首先,提出 LED羊珞穩定和多珞穩定的照度預均衡方法,并測試了預均衡接收效果。其次,根據羊側、雙側對稱和雙 側非對稱等珞燈安...

 PDF全文光通信技術 | 2020, 44(05):53

 多LED照明節點的室內可見光定位方法研究

黨宇超 曹陽 彭曉峰 陳果

[摘要]針對室內復雜環境和室內照明節點拓撲結構對可見光定位精度的影響, 基于近似完美三角點測試(APIT)算法設計了一種多LED照明節點的可見光室內定位方法。該方法利用信號傳輸時間作為節點間距大小的判斷憑證, 結合APIT定位...

 PDF全文光通信技術 | 2020, 44(23):1

 多LED照明節點的室內可見光定位方法研究

黨宇超 曹陽 彭曉峰 陳果

[摘要]針對室內復雜環境和室內照明節點拓撲結構對可見光定位精度的影響, 基于近似完美三角點測試(APIT)算法設計了一種多LED照明節點的可見光室內定位方法。該方法利用信號傳輸時間作為節點間距大小的判斷憑證, 結合APIT定位...

 PDF全文光通信技術 | 2020, 44(02):1

 高色純度白光LED用藍光材料Gd2MgTiO6∶Bi3+的合成及性能

汲長艷 肖雙燕 黃中勝 黃 志 文 瑾 彭秧錫

[摘要]采用高溫固相法合成了一系列藍光熒光粉Gd2-xMgTiO6∶xBi3+ (0.002 5≤x≤0.015), 并對樣品的表面形貌、晶體結構、發光性能和熱穩定性進行了探究。SEM測試結果顯示, 樣品Gd2MgTiO6∶Bi3+的粒徑分布范圍大, 顆粒尺寸在...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(05):529

 基于InP/ZnS核殼結構量子點的色轉換層設計及制作

王家先 陶 金 呂金光 李 陽 趙永周 李盼園 秦余欣 張 宇 郝振東 王維彪 梁靜秋

[摘要]提出了采用環境友好型InP/ZnS核殼結構量子點材料制備匹配藍光Micro-LED陣列的量子點色轉換層以實現Micro-LED陣列器件全彩化的技術方案。通過采用倒置式量子點色轉換層方案, 實現了InP/ZnS量子點材料和Micro-LED陣列的...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(05):592

 具有曲面反射面的高均勻度LED植物光源

盧允樂 文尚勝 馬丙戌 姜昕宇 吳啟保

[摘要]目前植物工廠培養架所使用的LED光源??楣庋Ы峁辜虻? 照度均勻度和混色均勻度難以保證, 導致農作物的品質參差不齊。為了提高種植物品質, 需要優化植物光源的照明效果, 設計高均勻度的植物光源。本文針對這一問題提出...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(04):468

 量子壘生長速率對InGaN基綠光LED性能的影響

廖 芳 莫春蘭 王小蘭 鄭暢達 全知覺 張建立 江風益

[摘要]利用MOCVD技術在圖形化Si(111)襯底上生長了InGaN/GaN綠光LED外延材料。在GaN量子壘的生長過程中, 保持NH3流量不變, 通過調節三乙基鎵(TEGa)源的流量來改變壘生長速率, 研究了量子壘生長速率對LED性能的影響。使用二次...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(04):429

 準備層溫度對黃光LED光電特性和老化性能的影響

孫文文 方 芳 王小蘭 鄭暢達 潘 拴

[摘要]研究了InGaN/GaN超晶格準備層的生長溫度對Si襯底GaN基黃光LED光電特性和老化性能的影響。研究發現準備層生長溫度較高的樣品外量子效率高于準備層生長溫度較低的樣品。500 mA電流下老化1 000 h后, 準備層生長溫度較高...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(04):461

 白光LED用Li+/La3+共摻雜BaSi2O5∶Eu2+綠光發射熒光粉的制備及其發光性能和熱穩定性

黃曉松 姜榮云 楊 健 劉春光 祝漢成 嚴端廷 徐長山 劉玉學

[摘要]通過Li+/La3+同比例共摻雜策略, 在氫氣氣氛下燒結制備了Li0.06La0.06Ba0.84Si2O5∶4%Eu2+ (LLBSO∶Eu2+)高效綠色發光熒光粉。相比于未摻雜樣品Ba0.96Si2O5∶4%Eu2+ (BSO∶Eu2+), Li+/La3+共摻有助于單一相LLBSO∶Eu2...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(03):271

 低色溫無熒光粉LED光源的可靠性研究

李嘉祥 潘 拴 劉軍林 吳小明

[摘要]為了對比研究新型低色溫無熒光粉LED光源和低色溫熒光粉LED光源的可靠性, 本文進行了85 ℃加速老化和溫度步進應力實驗, 測試了各光電參數在老化過程中的變化規律, 并分析了有無熒光粉低色溫光源的老化衰減機理。實驗結...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(03):323

 多芯CSP-LED芯片間距對熱擁堵的影響

劉 倩 熊傳兵 湯英文 李曉珍 王世龍

[摘要]在鋁基板上貼片了不同間距的四顆芯片級封裝發光二級管(CSP-LED)模組, 測試了不同貼片間距CSP-LED模組的EL光譜、流明效率、光通量、相關色溫等光電參數。結果顯示, 在小電流(20~400 mA)下, 隨著注入電流的增大, 不同排...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(03):308

 p-GaN插入層調控InGaN基黃綠雙波長LED發光光譜

魏鐸壘 張建立 劉軍林 王小蘭 吳小明 鄭暢達 江風益

[摘要]采用MOCVD技術在硅襯底上生長了含有7個黃光量子阱和1個綠光量子阱的混合有源區結構的InGaN基黃綠雙波長LED外延材料, 研究了電子阻擋層前p-GaN插入層厚度對黃綠雙波長LED載流子分布及外量子效率 (EQE) 的影響。通過LE...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(02):146

 p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射電極歐姆接觸的熱穩定性研究

左秉鑫 曾昭燴 李祈昕 李葉林 劉寧煬 趙 維 陳志濤 李云平

[摘要]研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射電極歐姆接觸的比接觸電阻率、熱穩定性, 以及光學反射率。與傳統Pd/Al/Ni電極相比, Pd/NiO/Al/Ni電極的歐姆接觸在氮氣環境中經300℃下熱處理10min后, 仍保持低比接觸電阻率(小于5...

 PDF全文半導體光電 | 2020, 41(02):242

 藍光GaN基Micro-LED芯片制備及激光剝離工藝研究

王仙翅 潘章旭 劉久澄 郭 嬋 李志成 龔巖芬 龔 政

[摘要]基于半導體制造工藝, 制備了尺寸為50μm×80μm的藍光氮化鎵(GaN)基Micro-LED芯片。芯片的正向導通電壓在2.55V左右; 測試了10顆LED芯片在1mA注入電流下的電壓值, 得到的最大值和最小值分別為3.24和3.12V, 波動幅...

 PDF全文半導體光電 | 2020, 41(02):211

 全光譜LED技術研究進展

裘金陽 陳 磊 王新中 林金填

[摘要]全光譜LED具有光譜和太陽光可見光光譜相似度高、色彩飽和度和保真度高、顯色指數接近100且無藍光危害等優點, 被認為是未來半導體照明技術的一個主流方向。本文從全光譜LED的概念和特性著手, 簡述了全光譜LED方案相較...

 PDF全文發光學報 | 2020, 41(02):199

 高分辨率AM Micro-LED顯示器設計及其驅動實現

林杰泓 聶君揚 張永愛 周雄圖 嚴 群 郭太良

[摘要]設計了一種基于藍寶石襯底氮化鎵基藍色/綠色多量子阱LED外延片, 利用成熟的LED芯片工藝制備了高像素Micro-LED芯片陣列; 在Micro-LED芯片和CMOS驅動芯片表面設計并制備了金屬凸點, 采用高精度倒裝焊接工藝實現LED顯示...

 PDF全文半導體光電 | 2020, 41(01):68

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